负偏压相关论文
为了解决类金刚石(DLC)薄膜与金属基材间的界面结合强度问题,本研究采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,以等时长、......
托卡马克聚变装置中，大破裂的避免是一个至关重要的研究课题，而撕裂模控制则又是该课题中至关重要的一部分。目前已经存在多种控制撕......
用金属有机物化学气相沉积法(MOCVD)生长了GaAs/AlGaAs量子阱材料,分别制备了300μm×300μm台面,峰值波长8.5μm,外电极压焊点面......
研究了化学气相条件下金刚石在非均匀研磨硅基底表面及镜面基底和均匀研磨基底边缘及角域处的成核行为。发现ＣＶＤ金刚石成核不仅依赖于......
栅氧化层的击穿和漏电是阻碍半导体集成电路发展的重要因素,提高栅氧化层的均匀性可极大地改善栅氧化层的性能。通过引入N2等惰性......
采用不同溅射功率制备的铟镓氧化锌(IGZO)薄膜作为薄膜晶体管(TFT)的有源层,通过扫描电镜、霍尔效应测试仪,分析了溅射功率对IGZO......
采用过滤阴极真空电弧技术以PH_3为掺杂源,施加0—200 V基底负偏压,制备了掺磷四面体非晶碳(ta-C:P)薄膜,利用X射线光电子能谱(XPS......
本文采用触媒CVD方法，在单晶Si和石英衬底上制备出纳米立方SiC(β-SiC)薄膜。通过控制参数，在较低的衬底温度下成功获得出(111)择优......
本文中主要阐述了通过常压介质阻挡放电等离子体化学气相沉积(APECVD)方法，利用硅烷(SiH4)为硅源，与氩气(Ar)、氢气(H2)按照一定配比......
以 Be为基体 ,采用磁控溅射离子镀在其上镀制 Al膜 ,研究了负偏压对 Al膜微结构的影响 ;研究表明 ,不加基体负偏压 ,Al膜在 (111)......
Gz－１－A中波广播发射机，一般都是六、七十年代的产品，在低周调幅器电路上没有采用外反馈，在元器件结构上，低前级音频变压器没有屏蔽，调整低......
利用负偏压增强热丝化学气相沉积在不同的负偏压和压强下,在沉积有不同厚度NiFe膜的Si衬底上制备了碳纳米管,并用扫描电子显微镜研......
我台发射机房使用的发射机是成都6 30厂生产的1 0kW单通道彩色电视发射机,其中包括1 0W激励器、5 0W全固态功放和两级电子管放大,......
用电弧离子镀方法在高速钢、不锈钢与铜基体上沉积合成TiN／TiCN多层薄膜，在其他参数不变的情况下只改变负偏压，着重考察不同负偏压下......
研究了在低温磁控溅射沉积TiN薄膜过程中,负偏压对基体温度、薄膜表面性能、薄膜与基体界面结合强度以及摩擦学性能的影响.研究结......
用CH4,H2和NH3作为反应气体,利用等离子体增强热丝化学汽相沉积制备出准直碳纳米管,并用扫描电子显微镜研究了不同负偏压对准直碳......
利用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段研究负偏压对多弧离子镀制备的(Ti,Cr)N薄膜表面缺陷、表面粗糙度、化学成分、沉积速率及......
采用电弧离子镀技术在烧结钕铁硼表面沉积Al薄膜。利用表面轮廓仪、扫描电镜、激光共聚焦、电化学工作站和盐雾试验箱分析了负偏压......
采用直流磁控溅射法在AZ31镁合金上制备了TiCN涂层。采用X射线荧光光谱仪、扫描电镜和X射线衍射仪表征了涂层的化学成分、表面形貌......
利用射频磁控溅射法在n型Si（100）衬底上沉积六方氮化硼薄膜（h-BN）,采用AFM、Raman、XPS、FTIR等技术研究负偏压对所沉积薄膜生长模式、......
2磁控溅射离子镀2．1磁控溅射离子镀磁控溅射离子镀（MSIP）是指基体带有负偏压的磁控溅射镀膜工艺，它把磁控溅射的优点（成膜速率高、源为......
【正】我国使用的北广产10KW双通道彩色电视发射机,当发生影末级高压过荷故障时,常常会伴随帘栅压过荷故障。在排除影末级高过荷故......
采用常压等离子体化学气相沉积（APECVD）的方法制备了带有新颖结构和特殊蓝紫光（400nm左右）发光特性的硅基薄膜．通过在自行研制的等离子......
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统，在辉光放电的情况下制备出准直碳纳米管，并用扫描电子显微镜研究了不同负偏压对准直碳纳米管生......
采用阴极电沉积法在泡沫镍上负载Zn掺杂TiO2,制得Zn/TiO2/泡沫镍光催化剂,利用X射线衍射仪（XRD）、扫描电镜（SEM）、X射线光电子能谱（XPS）......
电视发射机的故障检修故障1:北广CSD-1-Ⅲ-1型1 KW电视发射机,故障现象是开风机和负压(36V)均正常工作,但加不上高压.将高压控制盒......
在负偏压设计过程中,采用变压器存在体积大、周期长、效率低等弊端;极性反转型控制器难于控制传导EMI线形传送所带来的干扰;充电泵......
采用直流磁控溅射加负偏压的方法制备了Ti膜，研究了不同偏压条件对Ti膜沉积速率、密度、生长方式及表面形貌的影响。随着偏压逐渐增......
用CH4、H2或包含NH3的混合气体为反应气体,利用负偏压增强热丝化学气相沉积方法在沉积有过渡层(Ta或Ti)和催化剂层(NiFe)的Si衬底......
在IR2110驱动电路的基础上,介绍了产生负偏压和提高驱动功率的电路,并且针对电路中存在占空比的问题,设计了占空比调节电路.实验结......
采用电弧离子镀技术在高速钢基底上沉积Cr Al N涂层.对Cr Al N涂层的表面形貌、微观组织、显微硬度、结合强度、摩擦学性能进行了......
基于经典全桥零电压零电流开关（ZVZCS）变换器拓扑，采用数字信号处理器（DSP）进行控制，提出了一种新型的移相PWM波形产生算法。结合IR公司......
研究了在低温磁控溅射沉积TiN薄膜过程中,负偏压对基体温度、薄膜表面性能、薄膜与基体界面结合强度以及摩擦学性能的影响.研究结......
采用离子束溅射沉积镀膜法制备了DLC薄膜,研究了偏压对薄膜性能的影响。通过原子力显微镜(AFM)和拉曼光谱对DLC薄膜的表面形貌以及......
为了制备高效和稳定的表面等离子体薄膜催化剂和探索其光催化和光电催化降解有机污染物的规律,用恒电流复合电沉积方法制备了Ag@Ag......
采用不同偏压，在201不锈钢表面进行多弧离子镀TiN薄膜，研究了偏压对薄膜表面形貌、硬度、相结构及耐蚀性的影响。研究表明：薄膜表面存......
利用X射线衍射(XRD)和X光电子能谱(XPS)等技术对射频-直流-等离子化学气相沉积(RF-DC-PVCD)在钢基体上Si-B-N复合薄膜的组成和结构......
在设计CMOS电路时,有时需要的直流电压不一定都在VSS～VDD之间,这时通常会用到电荷泵（charge pump）,用以产生电路需要的工作电压。在数......
活性屏离子渗氮(ASPN)技术解决了传统离子渗氮(DCPN)技术一直存在工件打弧、电场效应、空心阴极效应、工件温度测量困难、大小工件......
采用高功率脉冲磁控溅射技术在GH169高温合金表面沉积了TiN纳米涂层,利用XRD、SEM、纳米压痕仪等研究了负偏压对涂层的晶体结构、......
利用负偏压增强热丝化学气相沉积系统,在沉积有过渡层Ta和催化剂层NiFc的Si衬底上制备得到了碳纳米管.研究发现,负偏压对NiFe层的......
以PET（对苯二甲酸已二醇脂）为基体,采用磁控溅射方法在其上制备Al2O3阻隔膜,研究负偏压对基体温度、镀膜表面形貌和镀膜化学成份的影......
采用反应磁控溅射工艺,在W18Cr4V高速钢基片上制备TiN薄膜;运用正交设计方法选取工艺参数,研究溅射电流、N2流量、Ar流量、负偏压......
