负偏压相关论文
为了解决类金刚石(DLC)薄膜与金属基材间的界面结合强度问题,本研究采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)技术,以等时长、......
托卡马克聚变装置中，大破裂的避免是一个至关重要的研究课题，而撕裂模控制则又是该课题中至关重要的一部分。目前已经存在多种控制撕......
采用脉冲电弧沉积技术制备了TiSiN涂层,研究了不同沉积参数(负偏压、靶电流及脉宽)对涂层结构和性能的影响。利用电子能谱仪、X射......
Mechanism of photocatalytic degradation of dye MG by TiO2-film electrode with cathodic bias potentia
在有 TiO2 电影电极的可见轻照耀下面的孔雀石绿色(MG ) 的 Photoelectrocatalytic 降级被调查了为染料的 TiO2 photocatalytic 降......
在酸性溶液中利用恒电位沉积法在导电玻璃(ITO)上沉积Cu_2O薄膜,并以KCl为添加剂对其进行掺杂,采用场发射扫描电子显微镜(FESEM)和......
本文研究了局部定向异质外延生长的金刚石膜的压阻效应，实验研究表明，这种膜的压阻因子在200微应变，室温下约为1300．其值大大超过了单......
本文阐述了真空电弧沉积（ＶＡＤ）的各种净化方法，并讨论了纯净化的真空电弧在非晶硅膜层沉积方面的应用，包括在制造太阳能电池方面的应用前景......
利用扫描电镜，分析了磁控电弧沉积的氨化钛膜微观形貌。实验表明，阴极磁场对膜层的形貌有显著的影响，合理的磁场设计可减少膜层中的宏......
介绍了等离子体离子辅助沉积技术，用该技术制备了高性能的中红外增透膜，给出了该增透膜的光学性能和耐久性试验结果。
The plasma i......
利用高等离子体密度、高电子温度和高离化率的ECR微波等离子体增强二极溅射、磁控溅射反应沉积金属氨化物薄膜。实验结果表明，ECR微......
系统地研究了MgF2衬底上类金刚石薄膜的折射率和生长速率与淀积工艺之间的关系，在MgF2衬底上成功地设计并制备了红外增透和保护膜。......
研究了背栅效应对全平面选择离子注入自隔离ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压及其均匀性的影响．结果表明，背栅效应使ＧａＡｓ ＭＥＳＦＥＴ的阈值电压绝对值变小，均匀性变差．
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以纯铁和 38CrMoAl为例给出了用电子回旋共振微波等离子体氮化的实验结果 ,并给出了气体成分及配比、时间、温度、偏压等工艺参数......
采用活性反应离子镀装置，通过电子束蒸镀金属纯硼，在氮、氩混合气体等离子体中，合成了ｃ－ＢＮ膜。对沉积后的ｃ－ＢＮ膜，在充入高纯氮的条件下，原位进行......
采用常规ＰＥＣＶＤ工艺，在Ｎ型单晶硅（ｃ－Ｓｉ）衬底上沉积薄层纳米Ｓｉ（ｎｃ－Ｓｉ）膜，并进而制备了ｎｃ－Ｓｉ∶Ｈ／ｃ－Ｓｉ量子点二极管．在１０～１００Ｋ温度范围内实验研究了该结构的σ－Ｖ和Ｉ－Ｖ特性．结果指出，当反向......
研究了化学气相条件下金刚石在非均匀研磨硅基底表面及镜面基底和均匀研磨基底边缘及角域处的成核行为。发现ＣＶＤ金刚石成核不仅依赖于......
使普通二极管激光器的电压反向将不发射光，有时甚至是永远不发光。相反，另一种半导体激光器，即量子级联（ＱＣ）激光器是单极的，因而在正的和负......
通过对衬底施加负偏压吸引等离子体中的阳离子对衬底轰击 ,从而用射频磁控溅射法在水冷透明绦纶聚脂胶片上制备出相对透过率为 80 ......
用石墨阴极电弧源作为碳源,由冷阴极电弧放电产生的高能量、高密度的碳离子流,在负偏压的作用下高速轰击试样(20钢),使其加热至850......
密歇根大学和德克萨斯大学的研究人员目前已制成一台双焦点菲涅耳透镜调制器 ,并对其进行测试。该调制器采用 (Ga As/ Al Ga As)多......
用热丝 CVD的方法在 3英寸的硅衬底上生长均匀的金刚石薄膜， 应用了在热丝上方加石 墨电极，在形核阶段相对于热丝施加一直流负偏压......
正交试验是一种数理统计方法与科学实验相结合的试验方法,通过对多弧离子镀膜中各工艺参数进行正交试验,得到齿轮材料40Cr表面较优......
本文介绍了活性反应离子镀(ARE 法)及其覆涂钛的氮化物薄膜的原理、装置,并通过对镀层样品进行 x 衍射相分析,显微硬度测量等分析......
本文报导了用四氯化碳作为氯源的掺氯氧化方法。测量了 CCl_4氧化物的性质,并与干氧氧化物进行比较。实验结果表明,其氧化速率和腐......
KD110高频电脉冲发生器的功率输出管FU50及FU81的栅极负偏压-75伏及-300伏,是由整流管5Z4P供给的,其板极交流绕组与汞整流管866及......
为了解决声速测井仪井下仪器中在高温下可控硅直通的弊病,我们试验了加负偏压的可控硅触发线路。试验证明,这种线路一般可耐温160......
文中介绍了用真空溅射方法在工件表面上沉积碳化钛的设备和工艺,讨论了影响工艺的因素,并提出了存在的问题。这项工艺曾试用于模具......
MOSFET器件继续微缩则闸极氧化层厚度将持续减小,在0.13μm的技术闸极二氧化硅的厚度必须小于2nm,然而如此薄的氧化层直接穿透电流......
离子沉积技术在本杂志上已有详细介绍。该技术能够解决热处理不能解决的问题,即能使固态下互不溶的膜材和基材界面之间形成过渡层......
一、前言 为了提高材料表面耐蚀性及耐磨性而进行的表面镀覆处理中,目前,最常采用的是 “电镀”法,其中,又以电镀铬应用最广。 电......
随着真空沉积技术的进展,近年来在国外出现了一种特殊的碳膜。这种碳膜的特点是极坚硬、耐腐蚀、不导电和透明(特别是对红外光透......
一、前言纯铝表面易于形成致密的、具有良好耐蚀性的氧化膜,但无法用湿式电镀法在工件表面上获得铝耐蚀层.离子镀的出现使铝镀层......
由于具有低成本、无毒、铜源丰富等优点,以及在气敏传感器、太阳能电池、光催化等领域的潜在应用前景,Cu_2O薄膜引起了人们的广泛......
本文在对三极磁控溅射电特性的研究基础上,结合高速钢和硬质合金基体上氮化钛耐磨涂层的沉积,对三极磁控溅射新工艺进行了较系统的......
本文主要论述磁控溅射离子镀技术是金属材料表面合金化的一种新方法。电子探针分析表明,金属基体磁控溅射离子镀金属膜是靶材元素......
本文研究了用辉光放电法在Ti-6Al-4V合金上淀积坚硬碳膜。并对碳膜的耐磨性、耐蚀性及其与衬底的结合强度进行了初步测试,用电子衍......
氢化非晶碳膜具有硬度高、电绝缘、光学透明、化学性能稳定等优良特性,又称为“类金刚石”碳膜。本文报导由碳氢气体的辉光放电分......
本文论述在电子束焊机所使用的电子枪,负偏压对电位分布、阴极发射电流密度分布,以及对束流特性的影响,从理论分析和实验结果得知:......
本文应用 Ｘ射线衍射分析和电子衍射分析研究了Ａ３钢基体磁控溅射离子镀铝 膜的相组成，结果表明，膜的相组成主要是基板负偏压所决定的。文......
本文主要应用JEM-100CXⅡ型透射电镜研究了在Ｃ-u基材上磁控溅射离子镀Ａl及ＣｒＮｉ不锈钢时的沉积层组织与相结构。研究发现; 在一系列沉积工......
